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faq category

product type / feature / difference

absolute maximum ratings (voltage / current / temperature)

thermal resistance (θ), thermal parameter (ψ)

electrostatic discharge failure

other general faqs

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- 使用时即使是瞬间超过绝对最大额定值也不行，那样有可能出现击穿而损坏晶体管，或者造成hfe下降等性能退化。单发脉冲情况下可使用的范围要确认安全工作区（soa）。连续脉冲情况下，需要进行功率计算和元件温度计算。具体的判断步骤请参考｢判断能否使用的方法｣、｢元件温度计算方法｣。
  (另外，请同时参考与“降低额定值”相关的内容。）

- 基极电流的最大额定值是集电极电流最大额定值的1/3（达林顿连接晶体管是1/10）。
  以2sd2656为例
  因为集电极电流的最大额定值在dc情况下是1a，在脉冲情况下是2a，所以基极电流的最大额定值就是dc情况下为333ma，脉冲情况下为666ma。
  对于数字晶体管，如果遵照规格说明书上记载的vin的额定值，那就以输入电流保持在额定值内为前提来设定vin的额定值。

- 对于npn晶体管，发射极接地，给集电极加上正电压时的耐压是规格说明书上记载的vceo。
  （对于pnp晶体管，集电极接地，给发射极加上正电压时的耐压是vceo。）
  与此相反，（npn晶体管集电极接地，给发射极加上正电压时）的耐压与发射极-基极间的耐压大致相等。发射极-基极间的耐压通常为5-7v左右，所以建议使用时要使集电极-发射极间的反向电压保持在5v以下（如果给集电极-发射极间加上接近反向耐压值的电压，就有可能发生hfe下降等性能退化的情况）。集电极-发射极间的反向电压如果在5v以下，就只有漏电流大小的电流通过。
  
  数字晶体管也如上所述，可对集电极-发射极间（out-gnd间）的反方向施加最大5v的电压，gnd-in中有电阻的情况，电流会通过电阻流过。

- hfe值的范围本公司的规格说明书上有记载，有标明了上限和下限的，也有只标明了下限的。对于上限和下限都标明了的，它的实际值就是上下限之间整个范围的值；对于只标明了下限的，其hfe值的范围多数都等于下限值的数倍。详细情况请向“本公司营业部门”咨询。

- 每种产品都有soa（safe operating area)，如果在此区域内那肯定能用。
  例如：vds=20v、idpeak=2a、pw=100μs 时 ⇒　pw=100μs 的区域内，可以使用。

- 容许损耗（pc)需要降低（降低额定值），以便与环境温度（ta）相适应。请根据下面的特性曲线使晶体管的消耗功率降低到与环境温度相适应的程度。
  
  也有必要降低安全工作区（soa)的额定值，具体情况请参考「为了放心使用rohm的晶体管-tr能否使用的判断方法」。
  而且，电特性（以双极晶体管/数字晶体管的输入电压(vbe， vi(on)， vi(off) )和 hfe， gi为例）受温度影响会有变化。所以，设计时要参考电特性曲线，以保证温度变化时也能正常工作。mosfet也要这样考虑。

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