罗姆的高压（600v～）功率mosfet产品采用了超级结技术。 该技术实现了高速开关和低导通电阻，可以减少应用损耗。罗姆有低噪声和高速开关两类产品，可以根据客户的需求进行提案。此外，prestomos™系列采用了罗姆的专利技术，内置了快速二极管，有助于电机和逆变器等节能。

推荐使用罗姆的super junction-mosfet的三个理由

  • ①根据客户需求提供三种产品系列
  • ②每种系列提供丰富的导通电阻和封装阵容
  • ③高性能、高品质、完善的支持体制

[新产品]600v耐压超级结 mosfet “r60xxrnx系列”

rohm在其600v耐压super junction mosfet“prestomos™”产品阵容中，又新增“r60xxrnx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。

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[新产品]600v耐压超级结 mosfet “r60xxvnx系列”

rohm的600v耐压super junction mosfet“prestomos™”拥有业界超快的反向恢复时间，非常适用于电动汽车充电桩、服务器和基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等白色家电的电机驱动，此次，又新增了支持大功率应用的“r60xxvnx系列”7款机型。
除上述系列外，已实现高速开关和业界超低导通电阻的600v耐压super junction mosfet“r60xxynx 系列”中，也新增了2款机型。

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罗姆的super junction-mosfet

●更宽的耐压范围和更低的导通电阻

  500mω　≤　ron typ. 500mω　 ＞ 　ron typ.
  active   new! active   new!
800v        
650v       under
planning
600v   under
development		  
   
  • ：低噪声规格
  • ：高速开关规格
  • ：内置高速二极管
  • ：第4代通用型
  • ：内置第4代高速二极管

●有6种封装选择

系列 封装
表面贴装型 引脚插入型
to-252
[dpak]		 lpts
[d2pak]		 to-220ab to-220fm to-3pf to-247
800v       r80xxknz4
650v r65xxend3  
r65xxknd3 r65xxknx3
600v
gen.4
new		 r60xxynd3   r60xxynx3 r60xxynz r60xxynz4
 
600v
gen.3		   r60xxenx
 
 
  • ：低噪声规格
  • ：高速开关规格
  • ：内置高速二极管
  • ：第4代 通用型
  • ：内置第4代高速二极管prestomos™

●在广泛的应用中都有采用，不仅在特性方面，还在质量和支持方面也受到了高度评价

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何谓prestomos™

prestomos™是采用罗姆专利技术将super junction-mosfet的寄生二极管加速化的产品。通常，super junction-mosfet的寄生二极管因其特有的内部结构，比一般的mosfet，恢复性能差。因此，以往super junction-mosfet不能用于使用寄生二极管的电路，如逆变器和桥式pfc电路。
prestomos™已加速寄生二极管，可以克服super junction-mosfet的弱点，有助于使用电机驱动用逆变器或桥式电路的应用大幅节能。

由于近年的来节能趋势，用prestomos™替代广泛用于逆变器的igbt frd组合的例子正在增加。由于具有出色的恢复特性，有助于应用的节能。

第4代 prestomos™ r60xxvnx系列

   
to-252 to-220fm to-220ab to-3pf to-247
vds
(v)		 ron typ
(mω)
vgs=15v		 trr typ
(ns)
600 250 65      
170 68   new      
127 80   new new    
95 92   new new    
59 112   ☆r6055vnx3 new new
42 125       new new
22 167         ☆r60a4vnz4

推荐应用

  • 电机驱动
  • 节能型白色家电
  • 充电桩
  • 太阳能电池功率调节器
  • 各种电源电路（llc/图腾柱pfc/全桥）

业内出色的反向恢复特性

rohm的prestomos™系列采用rohm自有的专利技术，提高了寄生二极管的反应速度，使关键特性——反向恢复时间（trr）达到了业界超快水平。通常，该特性会因微细化和升级换代而受损，但rohm的第4代prestomos™ r60xxvnx系列通过优化结构，在保持业界超快trr的同时，还改善了导通电阻等基本性能。 业界超快的trr特性可以降低电机和逆变器电路的开关损耗。双脉冲测试被广泛用作确认这些损耗的方法。（如欲了解双脉冲测试的概要，请参考《应用指南》。）下图是通过双脉冲测试确认单脉冲导通时的开关损耗的结果。从结果可以看出，rohm的prestomos™ r60xxvnx系列的导通损耗比rohm以往产品和其他公司产品更低。下图是rohm的prestomos™ r60xxvnx系列实际用于同步整流升压电路时的效率确认结果。与上述双脉冲测试中确认的损耗关系类似，实机评测结果表明，r60xxvnx系列的损耗更低，效率更高。

  • ■双脉冲测试的开关损耗确认结果

    * 用于开关比较的产品均为导通电阻100mω级的产品，确认它们在漏极电流为15a的条件下改变栅极电阻后导通时的开关损耗。曲线图的横轴使用的是与各栅极电阻对应的导通时的电流变化量dif/dt的值。

  • ■使用同步整流升压电路的效率比较结果

    * 所有用于实机对比的产品均为导通电阻60mω级的产品，在环境温度25℃、输入电压220v、输出电压400v、l=500μh、频率70khz、关断时的vds过冲条件下，对它们进行了测试。

可以实现高耐压和低导通电阻的超级结结构，通过结构的进一步微细化可提高性能。
通过结构的微细化提高了电流密度，与以往产品（r60xxknx）相比，成功地将性能指数ron・a降低了35%，将ron・qgd降低了30%。因此，在导通电阻与以往产品相同的情况下，可以进一步降低开关损耗，有助于应用产品更加节能。

第4代 super junction mosfet r60xxynx系列

  package
to-252 to-220fm to-220ab to-3pf to-247 toll
vds
(v)		 ron typ
(mω)
vgs=15v
600 324 ☆r6010ynd3 ☆r6010ynx ☆r6010ynx3      
215 ☆r6014ynd3 new ☆r6014ynx3      
154   new ☆r6014ynx3   ☆r6020ynz4 ☆r6020ynj2
137   ☆r6022ynx ☆r6022ynx3   ☆r6022ynz4 ☆r6022ynj2
112   ☆r6027ynx ☆r6027ynx3   ☆r6027ynz4 ☆r6027ynj2
80   ☆r6038ynx ☆r6038ynx3   ☆r6038ynz4 ☆r6038ynj2
68   ☆r6049ynx ☆r6049ynx3   ☆r6049ynz4 ☆r6049ynj2
50   ☆r6061ynx ☆r6061ynx3   ☆r6061ynz4  
49           ☆r6063ynj2
36       ☆r6089ynx3 ☆r6086ynz4  
21         ☆r60a4ynz4  

推荐应用

・电视机
・服务器
・ups
・光伏功率调节器
・led照明
・各种电源电路（boostpfc [bcm,ccm] /三相viennapfc）

业界超快的开关速度

不仅更加微细化，还通过优化结构实现了业界超快的开关速度，有助于在电流连续模式下的pfc等硬开关型电路中实现更高效率。此外，在热设计和噪声设计过程中调整栅极电阻时，与其他公司产品相比，依然保持优势。

■产品单体的开关损耗

  • ・测试电路

    *比较用的产品均为导通电阻50mω级的产品。在漏极电流为10a的条件下，确认关断时的栅极电阻固定为5ω、且改变导通时的栅极电阻时的开关损耗。

与以往产品相比，阵容更加丰富！

对于每种封装，均能提供比以往产品导通电阻更低和支持电流更大的产品。此外，通过在产品阵容中增加to220ab和toll封装产品，将能够进一步满足客户的多样化需求。

  • ■每种封装的最小导通电阻值大范围更新

  • ■产品阵容中新增toll封装产品

低噪声规格/高速开关规格

提供两种类型的超级结mosfet，即具有低噪声规格的r6xxxenx系列和具有高速开关规格的r6xxxxknx系列，分别具有600v耐压和650v耐压，并且都具有多种封装类型。
r6xxxenx系列强调易用性，并在噪声应用中实现优异性能。
r6xxxknx系列强调高效率，并在追求高速开关的应用中实现优异性能。
由于r6xxxenx系列和r6xxxknx系列具有相同的导通电阻，因此可以选择适合客户应用的系列。
我们还提供符合高速开关规格的800v产品阵容，实现优异的性能。

低噪声规格r60xxenx/r65xxenx系列

r6xxxenx系列是强调易用性的低噪声产品。
超级结mosfet显著改善了传统平面mosfet的导通电阻和开关性能，作为反作用，通常存在噪声特性劣化的问题。然而，r6xxxenx系列可以通过调整芯片内部的栅极结构，实现低噪声性能，并且可以抑制因噪声引起的损耗。
尤其适用于希望极力降低噪声的音响和照明等应用。
此外，由于低噪声性能与传统的平面mosfet相同，因此可以轻松替换平面mosfet。

vds=600v package
to252 lpts to220fm to3pf to247
ron typ
(mω)		 2800        
900    
570    
500    
340    
260    
170  
150   ☆r6024enz4
115    
92      
66        
38        

☆：under development

vds=650v package
to252 lpts to220fm to3pf to247
ron typ
(mω)		 3000 ☆r6502end3        
955 ☆r6504end3    
605 ☆r6507end3    
530 ☆r6509end3    
360 ☆r6511end3    
280    
185  
160  
125    
98      
70        
40        

☆：under development

高速开关规格r60xxknx/r65xxknx/r80xxknx

r6xxxknx系列是一款强调高效率的高速开关产品。
基于改良低噪声r6xxxenx系列的内部mosfet结构，极大地改善了影响开关速度的gatecharge特性。因此r6xxxenx系列的易用性基本不变，就可通过高速开关实现高效率。
有助于实现pfc和llc等电路的高效率。
我们还提供符合高速开关规格的800v产品阵容，实现优异的性能。

vds=600v package
to252 lpts to220fm to3pf to247
ron typ
(mω)		 1300        
900 ☆r6004knd3    
720 r6006knj    
570 ☆r6007knd3    
500 ☆r6009knd3    
340    
260    
170  
150  
115    
92      
66        
38        

☆：under development

vds=650v package
to252 lpts to220fm to3pf to247
ron typ
(mω)		 1400 ☆r6503knd3        
955 ☆r6504knd3    
605 ☆r6507knd3    
530 ☆r6509knd3    
360 ☆r6511knd3    
280    
185  
160  
125    
98      
70        
40        

☆：under development

vds=800v package
to252 to220fm to247
ron typ
(mω)		 7200 ☆r8001knd3    
3500 newr8002knd3 ☆r8002knx  
1500 new ☆r8003knx  
750 new newr8006knx  
500   newr8009knx  
370   new ☆r8011knz4
200   ☆r8019knx ☆r8019knz4
80     ☆r8052knz4

☆：under development

第三代prestomos™ r60xxjnx系列

  package
to252 lpts to220fm to3pff to247
ron typ
(mω)		 1100    
720    
600    
450    
350      
220      
180  
140    
110     new
90        
        new new
45         new

☆：under development

特点① 快速反向恢复特性

罗姆的prestomos™系列采用罗姆的专利技术，加快了寄生二极管的反应速度，因此具有快速反向恢复时间（trr）。 然而，由于二极管的高速工作，急剧的电流变化可能导致大振荡。
第3代prestomos™ r60xxjnx系列，通过优化结构，反向恢复时不易引起振荡。这样可以简化客户的振荡对策。如果恢复时有振荡问题，请务必试用本产品。

特点② 追求易用性

罗姆的prestomos™系列，适用于电机驱动用逆变器和桥式电路，这些电路需要高短路击穿耐受力和自导通抑制。
短路击穿耐受能力低时，mosfet被击穿的可能性增加，如果发生自导通，则功率损耗变大。
第3代prestomos™ r60xxjnx系列，通过调整内部结构，可以解决这两个问题。
与竞争对手的新一代产品相比，也能保证高短路击穿耐受力，可以更安全地使用。
而且，由于抑制了自导通，可以减少工作时的功率损耗。

第三代prestomos™ r60xxrnx系列

产品型号 数据表 极性
[ch]		 vdss
[v]		 id
[a]		 pd
[w]
*tc=25℃		 rds(on)（typ.）
[mω]
*vgs=15v		 qg（typ.）
[nc]
*vgs=15v		 trr（typ.）
[ns]		 封装
n 600 4 60 1,330 10.5 40
to-252
7 96 730 17.5 50
9 126 510 22.5 55

特点　在继承超快反向恢复时间特性的同时实现低噪声

通过改进自有的lifetime控制技术实现了40ns业内超快反向恢复时间，与普通产品相比，其开关损耗降低约30%，有助于进一步降低设备的功率损耗。
另外，通过采用新开发的自有super junction结构，与普通产品相比，与反向恢复时间之间存在权衡关系的噪声也降低了约15db（在rohm测试条件下，比较40mhz时的表现）。有助于减少设备的抗噪声设计工时和部件数量。

※2023年3月　罗姆调查