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    • ・上侧元器件接地绝缘只能保证绝缘耐压。
      ・需要串联数栅极电压用浮动电源。
      ・串联时，导通电阻的温度系数变为正，为防止热失控，请考虑产品偏差和充分的电流降额。
      ・串联后作为高耐压单开关使用时，推荐并列插入大电阻进行适当分压。
      ・若不符合开关时序，则将破坏耐压。
      • products: silicon-carbide (sic) power devices , sic mosfets , sic mosfet bare die
      faq id: 486
    • 受到电路板的寄生电容或寄生电感的影响，需要考虑lc谐振。请确认以下项目。
      ①连接栅极驱动电路的外置栅极电阻
      ②栅极驱动电路的输出电容
      ③栅极驱动电路的布线寄生电感
      ④sic-mosfet栅极电容
      ⑤sic-mosfet内部栅极电阻 等
      若电阻小，则过冲、下冲的峰值变大，且阻尼振荡衰减需要时间。
      另外，电容大，则峰值变小，开关速度变慢。
      电感大，则峰值变大。
      • products: silicon-carbide (sic) power devices , sic mosfets , sic power module , sic mosfet bare die
      faq id: 490
    • 受到电路板寄生电容和寄生电感等的影响，需要考虑lc谐振，请确认以下项目。
      ①提高栅极驱动电路的外置栅极电阻。
      ②减小栅极驱动电路的输出电容。
      ③减小栅极驱动电路的布线寄生电感。
      电阻小，则过冲和下冲的峰值变大，并且阻尼振荡衰减需要时间。电容大，则开关速度变慢。请尽量减小电感。
      • products: silicon-carbide (sic) power devices , sic mosfets , sic power module , sic mosfet bare die
      faq id: 491
    • 导通时栅极驱动电压低于15ｖ，则不能充分导通，低于14ｖ以下，则导通电阻的温度特性从正变为负。
      温度变高，则导通电阻下降，有热失控的危险性，因此请确保施加15ｖ以上电压。
      tzdb为40v以上，因此没有栅极损坏的顾虑，但持续施加超过额定值(-6v/ 22v)的dc电压时，将受到栅极氧化膜界面的陷阱影响，阈值逐渐变化。
      瞬时浪涌电压(300nsec以内)受阈值电压变动的影响小，允许有-10v～ 26v范围的变动。
      • products: silicon-carbide (sic) power devices , sic mosfets , sic power module , sic mosfet bare die
      faq id: 492
    • fet off状态下漏极电位上升时，基于栅-漏间电容的ac耦合现象，栅极电位可能上升。代表性的应用有串联的电桥驱动。
      为防止基于误导通的短路破坏，推荐使用负偏压。
      增加栅极-漏极间的电容也能抑制栅极电位上升。
      另外，通过栅极－漏极间连接米勒钳位mosfet实现彻底短路，可防止栅极电位上升。请注意因噪音引起米勒钳位mosfet误工作。
      • products: silicon-carbide (sic) power devices , sic mosfets , sic power module , sic mosfet bare die
      faq id: 493
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