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    • 确认各特性的实际测量值时,请参考datasheet中记载的特性图。
    • 如果br93h-wc将6pin(test/test1端子)连接到vcc,就会进入测试模式,请勿连接到vcc。如果连接vcc,将可以用br93h-2c进行替换,6pin变成nc端子。
    • 随机失效就是在用户使用过程中,存储单元偶然出现失效而使数据产生意外改变。
      eeprom的存储单元,改写次数是有限制的(rohm的产品最多可改写100万次)。
      在此限制次数内,保证不会出现随机失效,这样的保证是哪个公司都没有的(出厂时确认所有bit都没有问题)。
      为了降低随机失效率,rohm采用 w-cell(双单元) 结构,实现了数据的高可靠性。
    • 相对于br93hr-wc系列而言,br93h-2c系列对电气特性的工作速度及耗电等方面进行了改善,虽然可以通过高端兼容、相同功能进行替换,但还是请根据实际用途做好充分确认。请参考比较资料。
      相关链接:
    • du端子已连接到芯片的测试电路。端子处理请参考下表。端子处理时,不需要vcc/gnd的上拉/下拉电阻。nc端子未连接到芯片。
      pin nameinput equivalent circuithandling of unused pindescription
      duinput equivalent circuitopen
      gnd
      vcc
      unused terminals may be set to high, low, or open.
      ncinput equivalent circuitopen
      gnd
      vcc
      nc pins are not connected internally.

      对象产品:br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列
    • cs端子[需要下拉电阻]为防止电源在on/off时的cs不稳定引起的误写入,请在cs端子处连接下拉电阻。sk、di端子[无需上拉/下拉电阻]如将下拉电阻和cs端子连接,电源on/off时确定“l”,sk、di端子就会被忽略,这样就无需特别的下拉电阻。do 输出 (在数据读取和写入指令后输出ready/busy时除外“high-z”)[无需上拉/下拉电阻]do为“high-z”,但指令侧没有影响时,不需要上拉/下拉电阻。[需要上拉/下拉电阻]do为“high-z”,但如果指令侧有可能会误动作,需要上拉/下拉电阻。对象产品:br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列
    • 请遵守datasheet中所记载的电源启动时间及电压的规定。
      在vcc完全上升之前,请将输入端子保持以下状态。
      • microwire: 将cs端子下拉成gnd (对象产品: br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列)
      • spi: 将csb端子上拉成vcc (对象产品: br25g-3/br25h-2c/br25h-2ac/br25a-3m系列)
      • i2c: 将sda设为“h”,且将scl设成“h”或“l” (对象产品: br24g-3/br24g-3a/br24a-wm/br24t-3am系列)
    • 防止低电压误写入电路(lvcc电路)就会工作,取消写指令,避免错误写入。
      电源上升时注意事项 使电源上升到“ power on reset(p.o.r电路)”工作。

      目标产品: br24lxx series, br25lxx0 series, br93lxx series
    • microwire总线为传统的通信方式,为假设ttl电平连接的规格。

      对象产品:br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列

    • do输出为cmos结构。不是漏极开路。

      对象产品:br93g-3/br93g-3a/br93g-3b/br93h-2c/br93a-wm系列

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